平成19年度後期集中講義「化合物半導体デバイス」の日程が決まりました。

受講希望者は，後期の履修登録期間内に履修登録してください。



授業科目名：化合物半導体デバイス



単位数及び時間数：2単位　30時間



講師氏名：

　葛原　正明（くずはら　まさあき）　教授

　　福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻



　木本　恒暢（きもと　つねのぶ）　教授

　　京都大学大学院工学研究科電子工学専攻



　芝原　健太郎　准教授

　　広島大学大学院先端物質科学研究科半導体集積科学専攻



日程：

　第1回　10月22日（月）3−10時限（葛原）

　第2回　11月5日（月）3−10時限（葛原）

　第3回　11月12日（月）3−10時限（木本）

　第4回　11月19日（月）3−8時限（芝原）



講義室：

　第1回−第3回　405Ｎ講義室

　第4回　ナノデバイス・システム研究センター　　　　



テーマ：

　第1回・第2回　GaAs，GaNに代表されるⅢ-Ⅴ族化合物半導体デバイス

　第3回　Ⅳ-Ⅳ族化合物半導体シリコンカーバイド（SiC）次世代高耐圧・低損失のパワーデバイス

　第4回　前回までの復習，演習，質疑応答



世話教員：横山　新（半導体集積科学専攻　内線6266）・芝原　健太郎（同　内線6267）