広島大学と株式会社半導体理工学研究センターが開発し、経済産業省／NEDO技術開発機構が支援を行ってきたトランジスタモデル「HiSIM-LDMOS」が、我が国で開発されたモデルとして初めて国際標準化機関CMC（Compact Model Council）において、国際標準モデルに選定されました。



　本モデルを使用することで半導体回路シミュレーションの精度が向上します。これにより、例えば、情報家電等に用いられている高耐圧トランジスタ搭載の半導体LSIの設計最適化が可能になり、消費電力削減効果等が期待されます。



　なお、本研究開発を主導したのは、本学大学院先端物質科学研究科の三浦道子教授（HiSIM研究センター長）です。





【問い合わせ先】

国立大学法人広島大学　学術部　青山恵子

TEL：082-424-5860、 FAX：082-424-5890、

E-mail：gakujutu-kkacho＠office.hiroshima-u.ac.jp



株式会社　半導体理工学研究センター　企画部　古井芳春

TEL：045-478-3272、 FAX：045-478-3310、

E-mail：furui.yoshiharu＠starc.or.jp



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