題目：エッジ状態の連続理論とその応用

講師：佐々木 健一

所属：東北大学大学院 理学研究科

日時：6月25日（水）16:00-17:00

場所：先端物質科学研究科405N

要旨：

「グラフェンの低エネルギー電子状態は質量ゼロの二成分ディラック方程式で近似することができる。この連続理論は単に便利なだけでなく、後方散乱の消失のような新たな物性予言にも役にたつ。近年グラフェン系において存在が予言されていたエッジ状態が実験で観測され関心が高まっている。我々はグラフェンにおけるエッジ状態の連続理論を構成した。エッジ状態は質量ゼロの二成分ディラック方程式に時間反転対称性を破らない、格子変形によって誘起するゲージ場で表される。このゲージ場は従来知られていたエッジ状態の性質を全て再現することができる。また第二近接間のホッピング過程など従来考えられていなかった摂動を表すことも可能である。本発表では、エッジ状態の連続理論とその応用例について述べる。



担当者氏名：若林克法（先端物質科学研究科）・7654



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