平成29年9月23日，物理科学専攻　博士課程後期2年　角田一樹さんが，第３回日本物理学会領域５において，学生ポスター優秀賞を受賞しました。

本賞は，優秀な学生の研究・発表を奨励し，表彰することによって，光科学技術研究を長期にわたり活性化するために設けられたものです。

角田さんによって発表された「ホイスラー合金Co2Cr(Ga,Si)におけるリエントラント・マルテンサイト変態機構」では，コバルト基ホイスラー型合金で起こる特異な構造相転移機構を，放射光を用いた光電子分光，吸収分光手法や第一原理計算を駆使してミクロな立場から総合的に解明しており，本発表が光物性物理学の分野に大きなインパクトを与え，角田さんが当該分野を将来的に先導する若手研究者として審査員の中で高く評価されたため，受賞しました。