日　時：平成１７年８月１１日（木）１６：３０〜１７：３０



場　所：先端物質科学研究科 ４０１Ｎ講義室



論文題目：High Rate Growth and Characterization of Crystalline Silicon Films from Inductively-Coupled SiH4 Plasma

（誘導結合型SiH4プラズマからの高結晶性シリコン薄膜の高速堆積）



発表者：Nihan Kosku



主　査：宮崎　誠一