21世紀COEプログラム「テラビット情報ナノエレクトロニクス」より

セミナー開催のお知らせです。



今回のCOEセミナーでは、シリコンウエハーメーカの最先端技術の一端をご紹介いただきます。

各デバイスメーカは直径300mmのシリコンウエハを使った量産化時代を迎えており、これを支えるシリコンウエハ技術の進展には、目覚しいものがあります。

ウエハーメーカでの仕事の内容も知る絶好の機会でもありますので、学生諸君の多数の聴講を期待します。



今回世話人　宮崎誠一

（半導体集積科学専攻：内線7656）



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日時：平成１８年１１月２０日(月)　10：30−12：00

場所：先端研　講義室　401Ｎ



講演者：毛利敬史(2005.3広大応化修了)、森良弘

　　　　　シルトロニック・ジャパン(株)

講演タイトル：半導体シリコンウェーハ製造技術



概要：

半導体シリコンウェーハとは単結晶シリコンインゴットをスライスして鏡面研磨した円板で、LSIの基板として使われます。外見上は単なる丸い鏡のように見えますが、その製造には信じられないような厳しいスペックが求められます。例えば表面の清浄度については100nmサイズのゴミを10個/ウェーハのレベルまで減らさねばなりません。これは野球のグラウンドをぴかぴかに磨いてその上に0.05mmのホコリが10個しかないという状態に相当します。このような高品質の製品を安定に製造するために高度な技術が必要であることは容易に想像がつくかと思います。本講演では、シリコンウェーハの製造および品質評価に用いられる様々な最先端技術について解説します。



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