Home 本研究科量子物質科学専攻の田中 新助教が参加している研究チーム（東京大学、日本原子力研究開発機構（JAEA）、高輝度光科学研究センター（JASRI）、広島大学）は、大型放射光施設SPring-8の東京大学放射光アウトステーションビームラインBL07LSUを利用して、希薄磁性半導体（Ga,Mn)Asに含まれるマンガン（磁性元素）の電子状態を高精度で決定することにより、この物質のミクロな強磁性発現メカニズムを明らかにすることに成功しました。
本研究の成果は、スピントロニクスの主役を担う希薄磁性半導体の物質設計の指針になると期待されます。本成果の詳細は、2014年2月27日（日本時間2月28日）に米国物理学会速報誌。「Physical Review Letters」オンライン版に掲載されます。
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広島大学大学院先端物質科学研究科
田中 新
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