平成19年度後期集中講義「化合物半導体デバイス」の日程が決まりました。
受講希望者は,後期の履修登録期間内に履修登録してください。
授業科目名:化合物半導体デバイス
単位数及び時間数:2単位 30時間
講師氏名:
葛原 正明(くずはら まさあき) 教授
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
木本 恒暢(きもと つねのぶ) 教授
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
芝原 健太郎 准教授
広島大学大学院先端物質科学研究科半導体集積科学専攻
日程:
第1回 10月22日(月)3−10時限(葛原)
第2回 11月5日(月)3−10時限(葛原)
第3回 11月12日(月)3−10時限(木本)
第4回 11月19日(月)3−8時限(芝原)
講義室:
第1回−第3回 405N講義室
第4回 ナノデバイス・システム研究センター
テーマ:
第1回・第2回 GaAs,GaNに代表されるⅢ-Ⅴ族化合物半導体デバイス
第3回 Ⅳ-Ⅳ族化合物半導体シリコンカーバイド(SiC)次世代高耐圧・低損失のパワーデバイス
第4回 前回までの復習,演習,質疑応答
世話教員:横山 新(半導体集積科学専攻 内線6266)・芝原 健太郎(同 内線6267)