学位請求論文公聴会を開催します(8月17日、18日:半導体集積科学専攻)



下記のとおり学位請求論文公聴会(2名)を開催いたします。



        記

日 時:平成27年8月17日(月)10:30~12:00

場 所: ナノデバイス・バイオ融合科学研究所5F会議室

論文題目:Temperature Dependence of Threshold Voltage in Poly-Si/TiN Metal Gate Transistors               Poly-Si/TiN金属ゲートトランジスタの閾値電圧の温度依存性)

発表者:西田 征男 

主 査:横山 新

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日 時:平成27年8月18日(火)10:30~

場 所: 先端物質科学研究科 401N講義室

論文題目:

Local transfer of single crystalline silicon films to glass substrate at low temperature using meniscus force and fabrication of high-performance thin-film transistors

(メニスカス力を利用したガラス基板への単結晶シリコン膜の低温局所転写及び高性能薄膜トランジスタの作製)

発表者:赤澤 宗樹 (先端物質科学研究科 博士課程後期 半導体集積科学専攻)

主 査:東 清一郎




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