半導体集積科学専攻 博士課程前期１年 水上隆達　（2016年10月22日）
受賞理由 : 平成28年10月21日～10月22日に、龍谷大学で開催された、薄膜材料デバイス研究会・第13回研究集会において口頭発表した“中空構造 SOI 層を用いた低温転写における転写歩留まり向上とフレキシブル基板上での単結晶シリコンTFT と論理回路の作製”が、研究成果及びその発表内容について、極めて優秀であると評価されたため。
授与者 : 薄膜材料デバイス研究会 実行委員長