先端物質科学研究科 半導体集積科学専攻 博士課程後期2年の村岡 幸輔さんが、2018年11月4日に応用物理学会中国四国支部学術講演会において、発表奨励賞を受賞しました。
　受賞理由は、応用物理学会中国四国支部学術講演会において、（2018年8月4日（土））“Ba導入4H-SiC nMOSFETsに対するストレス印加”に関する口頭発表が優秀であると認められたためです。