Home本専攻の教員は工学部第二類電子システム課程の教育も担当しております。
氏名をクリックすると研究者総覧の内容が表示されます。
*メールアドレス (+@hiroshima-u.ac.jp)、電話番号 （外線：082-424-）
半導体集積科学講座
量子半導体工学研究グループ
太陽電池やディスプレイに代表される大面積薄膜半導体デバイスおよびULSIの高性能化を目指した，薄膜結晶成長技術，絶縁膜低温形成技術，接合形成技術，等の新規プロセス技術とそのデバイス応用に関する研究
連絡先： sehiga / 7655 居室：405A
新・薄膜構造形成技術の創生とその制御に関する研究，および量子効果デバイスへの応用。
連絡先： hanafus / 7648 居室：401A
電子デバイス工学研究グループ
高周波集積回路設計，回路理論，高周波計測技術，電子デバイス，受動素子，配線の評価とモデリング。
連絡先： amakawa / 7639 居室：302A
先端集積システム工学研究グループ
100GHzを超えるミリ波帯からテラヘルツ帯を用いた超高速無線通信や新しいセンサを実現するための，先端CMOS集積回路を用いたシステムアーキテクチャ，回路設計，レイアウト最適化，能動/受動デバイスモデリングと測定法に関する研究
連絡先： fuji/6269 居室：305A
ＣＭＯＳ技術によるＲＦ回路およびアーキテクチャの解析・構成・設計無線および有線によるＬＳＩチップ間通信向け高速送受信回路通信方式，実装技術，回路技術を融合した設計法の開発
連絡先： msasaki /7686 居室： 304A
アナデジ混載システムＬＳＩの低電力・低雑音回路設計技術および神経信号などを検出するバイオセンサLSIのアーキテクチャとそれを実現する集積回路技術の研究
連絡先： tyoshida＠dsl. /7643 居室：303A
集積システム講座
ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
ナノデバイス工学
極限環境（宇宙探査・原子炉廃炉・医療）応用のためのシリコンカーバイド（SiC）エレクトロニクス，パワー半導体デバイス，薄膜半導体デバイスの研究。
連絡先： skuroki / 6267
ナノプロセス工学
ＬＳＩの超高集積化・超高速化のための極微細・新機能デバイス（量子デバイスや単一電子メモリ等）の研究，このために必要な原子・ナノスケール加工技術，集積化技術の開発
連絡先： anakajima / 6274
LSIの高性能化のための新しいデバイス構造・製造プロセス・評価技術に関する研究とパワーデバイスと高速通信応用のワイドバンドギャップ半導体（GaN）の新しいデバイス構造と製造プロセスに関する研究。
連絡先：teramo10 / 6266
知能集積回路工学
リアルタイム画像認識LSIアーキテクチャ，再構成可能な論理機能を搭載したアーキテクチャに基づく柔軟な知能情報処理システム開発，及びこれを実現するための集積回路技術と医療・農業応用の研究。
連絡先： koide / 6971
生体磁気工学
生体由来結晶や生体分子の光・磁気・電気的特性の解明を基礎とし，細胞レベルでの電磁マニピュレーションと半導体集積技術との融合による，メディカル・バイオテクノロジーへの応用を目指した研究
連絡先： miwamasa / 4372
HiSIM研究センター
ユニポーラー及びバイポーラーデバイスの回路設計用モデルの開発，及びその次世代半導体材料パワーデバイスへの展開
連絡先： masataka-miyake / 7018 居室：701-（5）
