HiSIM(Hiroshima-Univeristy STARC IGFET Model)は、広島大学が半導体理工学研究センター(STARC)と共同で開発した回路設計用トランジスタモデルです。2007年、これを高耐圧次世代トランジスタLDMOSに応用したものが国際標準モデルに選定されました。これは産学連携によって生まれた回路設計用トランジスタモデルが世界の舞台で認められた日本初の快挙です。また、2008年には、高耐圧MOS トランジスタモデルであるHiSIM_HVが、国際標準モデルに認定されました。HiSIM研究センターは、世界中の様々な半導体メーカーとHiSIMの問題点の検証を行い、それを受けたモデルを改良しています。

　また、回路設計者とデバイス開発者の間で、HiSIMを共通言語とし、半導体に関する高度な専門性を有した人材の育成も行っています。

　2011年、HiSIMモデルファミリーのコアモデルであるHiSIM2が、HiSIM_HVを追う形で国際標準モデルに認定されました。