スーパーフィル無電解銅めっき技術によるLSIの高性能化
−LSIのさらなる微細化と低コスト化が実現可能に−
広島大学大学院先端物質科学研究科の新宮原正三助教授が，下記報道発表資料のとおり，新たに見出したスーパーフィル無電解めっき法により，極微細銅配線を底から埋め込み形成することに世界で初めて成功しました。
新宮原正三助教授は，１２月８日に米国ワシントンDCで開催された，半導体のオリンピックと称されるIEEE（国際電子電気学会）主催の国際学会IEDM(International Electron Device Meeting)で，次世代LSI銅配線技術であるスーパーフィル無電解銅めっき技術を発表しました。
報道発表資料（Word版）
報道発表資料（PDF版）
【お問い合せ先】
大学院先端物質科学研究科
助教授 新宮原正三
電話０８２４−２４−７６４５
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