広島大学ナノデバイス・システム研究センターの角南英夫（すなみひでお）教授は、このたび、IEEE（米国電気電子学会）より、日本人では初めて「IEEE Jun-ichi Nishizawa Medal」を、東北大学の小柳光正教授ならびに株式会社日立製作所の伊藤清男氏と共同で受賞することになりました。



　本賞は、現在、首都大学東京学長である西澤潤一氏(元東北大学総長)の半導体基礎材料、デバイス、光通信、電力システムなどにおよぶ幅広い業績を称えるために、2002年に創設されたもので、材料とデバイス科学技術へ多大な貢献をした人へ授与されるものです。



　受賞の対象になったのは、DRAM（動的ランダムアクセス記憶装置）の進化を可能にしたDRAMセル構造およびアーキテクチャに関する三つの発明で、「トレンチ・キャパシタセル」、「スタック・キャパシタセル」、「折返しデータ線配置セル」の三つの発明です。角南教授は、4KbDRAMがまだ業界スタンダードであった1975年当時、時代に先んじトレンチ・キャパシタセルを発明しました。今日、このセルは、汎用DRAM製品及びDRAM内臓LSI用として広く使われています。

　なお、授賞式は、2006年6月24日に米国ミネソタ州のIEEE Honors Ceremonyで行われます。



※Institute of Electrical and Electronics Engineers,Inc.（通称IEEE、米国電気電子学会）は、世界150か国36万人を超える会員を擁する世界最大の技術専門学会



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広島大学ナノデバイス・システム研究センター教授　角南英夫

電話　082-424-6269

E-mail: sunami@sxsys.hiroshima-u.ac.jp

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