「世界初の実用モデルHiSIM-IGBTが誕生」についての記者会見を行いました

　広島大学HiSIM研究センター（センター長・三浦道子教授）の研究チームは、IGBTの回路設計用トランジスタ用モデル「HiSIM-IGBT」を、世界初の実用モデルとして開発し、車載用集積回路設計者などに向けて一般公開したことを、５月１０日（月）広島大学歯学部大会議室で記者会見を行い、発表しました。

出席者：	浅原利正（広島大学長）
	三浦道子（広島大学大学院先端物質科学研究科・教授）
	Mattausch Hans Juergen（ナノデバイス・バイオ融合科学研究所・教授）
	三宅正尭（広島大学HiSIM研究センター・助教）
	鬼頭公治（株式会社半導体理工学研究センター・執行役員）
	佐野昌（株式会社半導体理工学研究センター・技監）

記者会見の様子

　広島大学では、平成１７年からトヨタ自動車株式会社、株式会社豊田中央研究所と共同して一般車載用IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）の研究を行ってきました。IGBTは、２つのトランジスタタイプ、「バイポーラトランジスタ」と「MOSFET」を組み合わせた回路モデルですが、共同研究チームは、この２つのトランジスタタイプを分けずにIGBT全体としてシミュレーションできるモデル式を導き出し、「HiSIM-IGBT」を開発しました。

　これは広島大学が開発したMOSFETモデルHiSIM（Hiroshima-university STARC IGFET Model）を骨格とし、バイポーラトランジスタ部分のモデルと統合したもので、高精度の回路設計が可能になり、エネルギー利用の高効率化が大きく前進するものと期待されます。

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【お問い合わせ先】

広島大学大学院先端物質科学研究科

教授　三浦道子

TEL：082-424-7659　FAX：082-424-5848