産総研・広島大共同プレス発表資料

【平成16年11月25日10:00】



　　　　　　次世代トランジスタモデルHiSIMの高精度自動合わせ込み技術を開発

　---遺伝的アルゴリズムの応用により、半導体製造プロセスの開発コスト削減に貢献---



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成16年11月25日

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　独立行政法人 産業技術総合研究所

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　国立大学法人 広島大学



■ ポイント ■

・半導体設計に不可欠な、次世代トランジスタモデル（HiSIM）の高精度合わせ込み技術を、産総研、広島大が、半導体MIRAIプロジェクトにおいて開発に成功

・従来、熟練者でも1週間かかることもあった合わせ込み作業が、遺伝的アルゴリズムの採用で数時間程度に短縮

・最先端半導体プロセスで製造された極微細トランジスタの性能予測、シミュレーションが容易となり、半導体プロセス開発コストの削減に貢献

・産総研認定ベンチャー企業である（株）進化システム総合研究所を通じて事業化の予定



■ 概　要 ■

　独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】(以下「産総研」という)次世代半導体研究センター【センター長 廣瀬 全孝】の 村川 正宏 研究員らは、半導体MIRAIプロジェクトにおいて、国立大学法人 広島大学【学長 牟田 泰三】（以下「広島大」という） 大学院先端物質科学研究科の 三浦 道子 教授と共同で、最先端半導体製造プロセスの開発で回路シミュレーションに用いる、次世代トランジスタモデル HiSIM（Hiroshima-university STARC IGFET Model）の、遺伝的アルゴリズムを応用した高精度自動合わせ込み技術の開発に成功した。



[報道発表資料全文]