広島大学が産・官の協力を得て開発しているトランジスタモデル「HiSIM」が日本で３つめの国際標準を獲得

　８月２日（木）、広島大学HiSIM研究センター（センター長・マタウシュ・ハンス　ユルゲン教授）らの研究グループは、SOI-MOSFET（エス・オ・アイ－モスフェット）の回路設計用トランジスタモデル「HiSIM_SOI」（ハイシム　エス・オ・アイ）が、国際標準として認定されたことを、東京オフィスで記者発表会を開催し発表しました。

　このモデルは、独立行政法人産業技術総合研究所の支援を受け、4年間にわたる標準化活動の結果、国際標準化委員会（CMC：Compact Model Council）による次世代SOI-MOSFETの標準モデルとして認定されました。

記者会見の様子

研究成果を説明する三浦教授とマタウシュ教授

　SOI-MOSFETは、基本となるMOSFETというトランジスタを絶縁膜の上に作成するもので、高性能と同時に多様性を有し、沖電気の極低電圧時計用水晶発信回路、インテルのmicroprocessor、放射線障害に強いためJaxaの宇宙開発などに使われています。

　低消費電力や高放射線耐性などの多様な付加価値を持つSOI-MOSFETモデルHiSIM-SOIの開発は、究極のモデルへの第一歩と位置付けられます。これにより、安全安心社会の実現、太陽光発電などの環境エネルギー分野の産業創生に貢献するものと期待されます。

　これまですでに標準化となっている、高耐圧用MOSFETモデル「HiSIM_HV」と基本MOSFETモデル「HiSIM2」に今回の「HiSIM_SOI」を加えて、エコ社会実現に必要な回路設計環境が整ったと言えます。今後さらに世界標準モデルを発信していくことに加えて、広島大学は世界の拠点としてグリーンイノベーション創出に貢献していきます。

記者会見時配布資料（458KB）

【お問い合わせ先】

（研究に関すること）

HiSIM研究センター

マタウシュ・ハンス　ユルゲン

Tel：082-424-7659

Mail：hjm＊hiroshima-u.ac.jp

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（記事に関すること）

広島大学学術・社会産学連携室広報グループ

Tel：082-424-6017

E-mail：koho＊office.hiroshima-u.ac.jp

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